プログラマブルコントローラ
KV Nano シリーズ

端子台タイプ拡張出力ユニット

型式				KV-N8ER	KV-N16ER	KV-N8ET	KV-N8ETP	KV-N16ET	KV-N16ETP
画像
拡張出力ユニット	出力点数			8点	16点	8点		16点
	出力形態			リレー		MOSFET 過電流保護機能あり ^2 ^3
	外部接続方式			端子台
	定格負荷			AC250V/DC30V　2A		DC30V　0.5A
	OFF 時漏れ電流			−		100μA 以下
	ON 時残留電圧					DC0.8V 以下（0.5A 出力時） DC0.6V 以下（0.3A 出力時）
	ON 抵抗			50mΩ 以下		−
	コモン方式			独立	4点/1コモン（8端子）^*1	8点/1コモン（4端子）^*4		16点/1コモン（8端子）^4 ^5
	応答時間	OFF→ON		10ms以下		100μs以下（負荷1mA～）
		ON→OFF				200μs以下（負荷1mA～）
	リレー寿命			電気的10万回以上（20回/分）機械的2000万回以上		−
	リレー交換			不可
内部消費電流				60mA以下	100mA以下	30mA以下		40mA以下
質量				約230g	約260g	約160g		約210g
^1 KV-N16ERの各2点ずつあるC0,C1,C2,C3は内部で短絡しています。　（C0,C1,C2,C3は独立） ^2 1点でも過電流を検知すると、要因が取り除かれるまで共通コモン（過電流検出時に保護がかかる共通コモン内の出力とは、KV-N16ET(P)の場合、出力000～007、または出力008～015です。）内のすべての出力が保護動作（出力OFF）と自動復帰を繰り返します。 ^3 シンク出力タイプはMOSFET(N-ch)出力、ソース出力タイプはMOSFET(P-ch)出力です。 ^4 KV-N8ET(P), KV-N16ET(P)のCOMは、内部で短絡しています。 ^*5 過電流検出時に保護がかかる共通コモン内の出力とは、KV-N16ET(P)の場合、出力000～007、または出力008～015です。