シリアル内蔵 CPU ユニット KV-1000
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推奨代替機種
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KV-7300
- サポート
仕様
型式 | KV-1000 | |||
種類 | CPU ユニット | |||
一般仕様 | 電源電圧 | DC 24V (±10%) | ||
使用周囲温度 | 0 ～ +50℃ (氷結しないこと)*1*2 | |||
使用周囲湿度 | 35 ～ 85%RH (結露しないこと)*1 | |||
保存周囲温度 | -20 ～ +70 ℃*1 | |||
使用雰囲気 | 塵埃、腐食性ガスがひどくないこと | |||
使用標高 | 2,000 m 以下 | |||
耐ノイズ性 | 1500 Vp-p以上 パルス幅 1µs、50ns (ノイズシミュレータによる) | |||
耐電圧 | AC 1500V 1分間 | |||
絶縁抵抗 | 50MΩ以上 (DC500Vメガにて電源端子と入出力端子間および外部端子一括とケース間) | |||
耐衝撃 | 加速度 150 m/s2、作用時間 11 ms、X,Y,Z 各方向 2 回 | |||
過電圧カテゴリ | II (KV-U7 使用時) | |||
汚染度 | 2 | |||
耐振動 | 断続的な振動がある場合 | 周波数 10 ～ 57 Hz | 片振幅 0.075 mm*3 | |
周波数 57 ～ 150 Hz | 加速度 9.8 m/s2*3 | |||
連続的な振動がある場合 | 周波数 10 ～ 107 Hz | 片振幅 0.035 mm*3 | ||
周波数 57 ～ 150 Hz | 加速度 4.9 m/s2*3 | |||
性能仕様 | 演算制御方式 | ストアードプログラム方式 | ||
入出力制御方式 | リフレッシュ方式 | |||
プログラム言語 | 拡張ラダー、KVスクリプト、ニモニック | |||
命令語数 | 基本命令：68 種類 151 語 | |||
命令実行速度 | 基本命令：最小 25 ns | |||
プログラム容量 | 約 160k ステップ | |||
ユニット最大装着数 | 16 台 (エクステンションユニット接続時 48 台) | |||
最大 I/O 点数 | 拡張時 最大 3,096 点 (KV-EB1S/KV-EB1R：2 台増設時、64 点 I/O ユニット使用時) | |||
ビットデバイス | 入力リレー R | 合計 9,536 点 1 ビット | ||
出力リレー R | ||||
内部補助リレー R | ||||
内部補助リレー MR | 16,000 点 1 ビット | |||
ラッチリレー LR | ||||
コントロールリレー CR | 640 点 1 ビット | |||
ワードデバイス | タイマ T | 合計 4,000 点 32 ビット | ||
カウンタ C | ||||
データメモリ DM | 65,535 点 16 ビット | |||
拡張データメモリ EM | ||||
拡張データメモリ FM | 32,767 点 16 ビット | |||
テンポラリメモリ TM | 512 点 16 ビット | |||
高速カウンタ CTH | 2 点 32 ビット | |||
高速カウンタコンパレータ CTC | 4 点 32 ビット (高速カウンタ 1 点につき 2 点) | |||
インデックスレジスタ Z | 12 点 16 ビット | |||
コントロールメモリ CM | 11,999 点 16 ビット | |||
位置決めパルス出力 | 2 点 (最高出力周波数 100 kHz) | |||
CPU ユニット入出力 | 入力：16 点、出力：8 点 | |||
停電保持機能 | プログラムメモリ | フラッシュ ROM、10 万回書き換え可能 | ||
デバイス | バッテリによる 5年 (使用周囲温度 25 ℃ で停電保持状態時)*4 | |||
自己診断機能 | CPU 異常、RAM 異常、その他 | |||
内部消費電流 | CPUユニット：320 mA 以下 | |||
質量 | CPU ユニット：約 290 g | |||
価格(¥) | 108,000 | |||
*1 システムとしての保証範囲です。 | ||||