拡張出力ユニット出力8点トランジスタ(ソース)出力ネジ端子台 KV-N8ETP

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仕様

型式			KV-N8ETP
拡張出力ユニット	出力点数		8点
	出力形態		MOSFET 過電流保護機能あり ^1 ^2
	外部接続方式		端子台
	定格負荷		DC30V　0.5A
	OFF 時漏れ電流		100μA 以下
	ON 時残留電圧		DC0.8V 以下（0.5A 出力時） DC0.6V 以下（0.3A 出力時）
	ON 抵抗		−
	コモン方式		8点/1コモン（4端子）^*3
	応答時間	OFF→ON	100μs以下（負荷1mA～）
		ON→OFF	200μs以下（負荷1mA～）
	リレー寿命		−
	リレー交換
内部消費電流			30mA以下
質量			約160g
^1 1点でも過電流を検知すると、要因が取り除かれるまで共通コモン（過電流検出時に保護がかかる共通コモン内の出力とは、KV-N16ET(P)の場合、出力000～007、または出力008～015です。）内のすべての出力が保護動作（出力OFF）と自動復帰を繰り返します。 ^2 シンク出力タイプはMOSFET(N-ch)出力、ソース出力タイプはMOSFET(P-ch)出力です。 ^*3 KV-N8ET(P), KV-N16ET(P)のCOMは、内部で短絡しています。